Vishay推出新型200V n沟道MOSFET——SiSS94DN

9月23日，Vishay推出新型200V n沟道MOSFET——SiSS94DN。该器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封装，10 V条件下典型导通电阻达到61 mΩ。同时，经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET开关应用重要优值系数（FOM）为854 mΩ*nC。节省空间的Vishay SiSS94DN专门用来提高功率密度，占位面积比采用6mm x 5mm封装相似导通电阻的器件减小65%。

据悉，日前发布的新器件典型导通电阻比市场上排名第二的产品低20%，FOM比上一代解决方案低17%。这些指标降低了导通和开关损耗，从而节省能源。外形紧凑的灵活器件便于设计师取代相同导通损耗，但体积大的MOSFET，节省PCB空间，或尺寸相似但导通损耗高的MOSFET。

SiSS94DN适用于隔离式DC/DC拓扑结构原边开关和同步整流，包括通信设备、计算机外设、消费电子；笔记本电脑、LED电视、车辆船舶LED背光；以及GPS、工厂自动化和工业应用电机驱动控制、负载切换和功率转换。此外，SiSS94DN现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周。